সারণি উপাদান অর্ধপরিবাহী আলো শিল্প প্রযুক্তি উন্নয়ন ভিত্তি পাথর। বিভিন্ন স্তরবিন্যাস উপকরণ, বিভিন্ন এপিট্যাক্সিয়াল বিকাশ প্রযুক্তি, চিপ প্রক্রিয়াকরণ প্রযুক্তি এবং ডিভাইস প্যাকেজিং প্রযুক্তি প্রয়োজন, স্তর উপাদান অর্ধপরিবাহী আলো প্রযুক্তি উন্নয়ন নির্ধারণ করে।
নিম্নতর পদার্থের পছন্দের উপর ভিত্তি করে প্রধানতঃ নিম্নলিখিত নয়টি দিকগুলি নির্ভর করে:
ভাল কাঠামোগত বৈশিষ্ট্য, epitaxial উপাদান এবং একই বা অনুরূপ এর স্তর স্ফটিক গঠন, গদি ধ্রুবক বিসমিল ডিগ্রী ছোট, ভাল crystallinity, ত্রুটি ঘনত্ব ছোট
ভাল ইন্টারফেস বৈশিষ্ট্য, epitaxial উপাদান nucleation এবং দৃঢ় আনুগত্য জন্য সহায়ক
রাসায়নিক স্থিতিশীলতা ভাল, তাপমাত্রা এবং বায়ুমণ্ডলের epitaxial বৃদ্ধি মধ্যে ভাঙ্গা এবং জারা সহজ নয়
ভাল তাপ পরিবাহিতা, ভাল তাপ পরিবাহিতা এবং তাপ সহ্য করার ক্ষমতা সহ
ভাল পরিবাহিতা, আপ এবং নিচে গঠন করা যেতে পারে
ভাল অপটিক্যাল কর্মক্ষমতা, স্তর দ্বারা নির্গত আলো দ্বারা উত্পাদিত ফ্যাব্রিক ছোট হয়
ভাল যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্য, ডিভাইস সহজ প্রক্রিয়াজাতকরণ, thinning, মসৃণতা এবং কাটিয়া সহ
কম মূল্য
বড় আকারের, সাধারণত 2 ইঞ্চি কম ব্যাসের প্রয়োজন
উপরের 9 দিকের সাথে মিলিত হওয়ার জন্য স্তরটি বেছে নেওয়া খুবই কঠিন। অতএব, অর্ধপরিবাহী হালকা-নির্গমণ ডিভাইস গবেষণা এবং উন্নয়ন এবং উত্পাদন উপর বিভিন্ন substrates মানানসই উপাত্তিক বৃদ্ধি প্রযুক্তি পরিবর্তন এবং ডিভাইস প্রক্রিয়াকরণ প্রযুক্তির মাধ্যমে বর্তমানে বর্তমানে। গ্যালিয়াম নাইটরেডের জন্য অনেকগুলি স্তর রয়েছে, তবে উত্পাদনকারীর জন্য শুধুমাত্র দুটি সাবট্রেটস ব্যবহার করা যেতে পারে, যেমন নীলকান্তমণি আল2 ও 3 এবং সিলিকন কারবাইড সাওসি স্তরসমষ্টি। টেবিল 2-4 গুণগতভাবে গ্যালিয়াম নাইট্রেড বৃদ্ধি জন্য পাঁচ substrates কর্মক্ষমতা তুলনা।
নিম্নস্তরের উপাদান মূল্যায়ন নিম্নলিখিত বিষয় বিবেচনা করা আবশ্যক:
স্তর এবং এপিট্যাক্সিয়াল ফিল্ম ম্যাচ গঠন: epitaxial উপাদান এবং একই বা অনুরূপ ঘনত্ব উপাদান স্ফটিক গঠন, সামঞ্জস্যহীন সামঞ্জস্যহীন ছোট, ভাল crystallinity, ত্রুটি ঘনত্ব কম;
স্তর এবং তাপবিবৃতির ফিল্ম ম্যাচ তাপ সম্প্রসারণ সমমান: ম্যাচ তাপ সম্প্রসারণ সমবায় খুবই গুরুত্বপূর্ণ, epitaxial ফিল্ম এবং তাপ সম্প্রসারণ সমতুল্য পার্থক্য মধ্যে স্তর উপাদান শুধুমাত্র epitaxial ফিল্ম মানের কমাতে সম্ভব হয় না, কিন্তু এছাড়াও ডিভাইসের কাজের প্রক্রিয়ায়, তাপের কারণে ডিভাইসে ক্ষতি হয়;
স্তর এবং রাসায়নিক পদার্থের রাসায়নিক স্থায়িত্বের রাসায়নিক স্থায়িত্ব: উপবৃত্তীয় পদার্থের ভাল রাসায়নিক স্থিতিশীলতা থাকা উচিত, উপবৃত্তাকার বৃদ্ধি তাপমাত্রা এবং বায়ুমণ্ডলে ভাঙ্গা এবং জারা সহজ নয়, কারণ epitaxial ফিল্ম সঙ্গে রাসায়নিক প্রতিক্রিয়া কম করতে পারে না এপিটিএক্সিয়াল ফিল্মের গুণমান;
অসুবিধা ডিগ্রী এবং খরচ স্তরের উপাদান প্রস্তুত: অ্যাকাউন্টে শিল্প বিকাশের প্রয়োজনীয়তা গ্রহণ, স্তর উপাদান প্রস্তুতি প্রয়োজনীয়তা সহজ, খরচ উচ্চ করা উচিত নয়। স্তর আকার সাধারণত 2 ইঞ্চি কম হয় না।
GaN- ভিত্তিক LEDs- এর জন্য বর্তমানে আরও বেশি সস্তার উপকরণ আছে, তবে বর্তমানে কেবলমাত্র দুটি স্তরবিন্যাস যা বাণিজ্যিকীকরণের জন্য ব্যবহার করা যেতে পারে, যেমন নীলকান্তমণি এবং সিলিকন কারবাইড সাবট্রেটস। যেমন GaN, Si, ZnO স্তরবিন্যাস অন্যান্য হিসাবে এখনও উন্নয়ন পর্যায়ে, শিল্পায়ন থেকে কিছু দূরত্ব এখনো আছে।
গ্যালিয়াম নাইট্রাসাইড:
GaN বৃদ্ধি জন্য আদর্শ স্তর GaN একক স্ফটিক উপাদান, যা ব্যাপকভাবে epitaxial ফিল্ম স্ফটিক মান উন্নত করতে পারেন, dislocation ঘনত্ব কমাতে, ডিভাইসের কাজ জীবন উন্নতি, উজ্জ্বল দক্ষতা উন্নত এবং বর্তমান ঘনত্ব কাজ ডিভাইস উন্নত। যাইহোক, GaN একক স্ফটিক প্রস্তুতি খুব কঠিন, এতদূর কোন কার্যকর উপায় আছে।
দস্তা অক্সাইড:
ZnO GaN epitaxial প্রার্থী স্তর হতে সক্ষম হয়েছে, কারণ দুটি খুব আকর্ষণীয় অনুরূপ আছে। উভয় ক্রিস্টাল কাঠামো একই, লেটিস স্বীকৃতি খুবই ছোট, নিষিদ্ধ ব্যান্ড প্রস্থ বন্ধ (বিচ্ছিন্ন মান সঙ্গে ব্যান্ড হয় ছোট, যোগাযোগ বাধা ছোট)। যাইহোক, গন এপিটিক্সিয়াল স্তর হিসাবে ZnO এর মারাত্মক দুর্বলতা GaN epitaxial বৃদ্ধি তাপমাত্রা এবং বায়ুমন্ডলে বিস্ফোরণ এবং corrode সহজ। বর্তমানে, ZnO অর্ধপরিবাহী উপকরণ অপটিক ইলেকট্রনিক্স ডিভাইস বা উচ্চ তাপমাত্রার ইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলি তৈরি করতে ব্যবহার করা যায় না, মূলত উপাদানটির গুণমানটি ডিভাইসের স্তরে পৌঁছায় না এবং পি-টাইপ ডোপিং সমস্যাটি সত্যিই সঠিকভাবে সমাধান করা হয়নি, ZnO- ভিত্তিক অর্ধপরিবাহী উপাদান বৃদ্ধি সরঞ্জাম এখনও সফলভাবে বিকশিত করেনি
নীলা:
GaN বৃদ্ধি জন্য সবচেয়ে সাধারণ স্তর AL2O3 হয় তার সুবিধার ভাল রাসায়নিক স্থায়িত্ব, দৃশ্যমান আলো শোষণ না, সাশ্রয়ী মূল্যের, উত্পাদন প্রযুক্তি তুলনামূলকভাবে পরিপক্ক হয়। দরিদ্র তাপ পরিবাহিতা যদিও ডিভাইসটি সামান্য বর্তমান কাজের মধ্যে উন্মুক্ত না হলেও যথেষ্ট স্পষ্ট নয়, তবে সমস্যাটির কাজ চলাকালীন উচ্চমানের ডিভাইসের ক্ষমতার মধ্যেই এটি অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।
সিলিকন কারবাইড:
নীলকান্তমণিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত একটি স্তর উপাদান হিসাবে SiC, GaN LED এর বাণিজ্যিক উত্পাদনের জন্য কোন তৃতীয় স্তর নেই। SiC স্তর ভাল রাসায়নিক স্থায়িত্ব, ভাল বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা, ভাল তাপ পরিবাহিতা, দৃশ্যমান আলো শোষণ না, কিন্তু দিক অভাব খুব গুরুত্বপূর্ণ, যেমন মূল্য খুব বেশী হিসাবে ভাল হয়, স্ফটিক গুণমান আল2O3 এবং তাই সি অর্জন কঠিন ভাল, মেকানিক্যাল প্রক্রিয়াকরণ কর্মক্ষমতা দরিদ্র, উপরন্তু, 380 nm নীচের ইউভি LEDs উন্নয়ন জন্য উপযুক্ত না UV আলো নীচের 380 nm, SiC স্তর বজায় রাখা। কারণ SiC স্রাব এর উপকারী পরিবাহিতা এবং তাপ পরিবাহিতা, এটি শক্তি টাইপ GaN LED ডিভাইস তাপ অপচয় সমস্যা সমাধান করতে পারেন, তাই এটি অর্ধপরিবাহী আলো প্রযুক্তি একটি গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে।
নীলকান্তমণি, SiC এবং GaN epitaxial ফিল্ম জাল মিলে যাওয়া সঙ্গে তুলনা উন্নত হয়। উপরন্তু, SiC একটি নীল luminescent বৈশিষ্ট্য আছে, এবং একটি কম প্রতিরোধের উপাদান, electrodes করতে পারেন, যাতে epitaxial ফিল্ম প্যাকেজিং আগে ডিভাইস একটি স্তর উপাদান প্রতিযোগিতামূলক হিসাবে SiC উন্নত সম্পূর্ণরূপে পরীক্ষা করা হয় যাতে। যেহেতু SiC এর স্তরযুক্ত কাঠামো সহজেই পরিষ্কার করা হয়, একটি উচ্চ মানের বিদারণ পৃষ্ঠ স্তর এবং epitaxial ফিল্ম, যা ব্যাপকভাবে ডিভাইসের কাঠামো সরল মধ্যে প্রাপ্ত করা যেতে পারে; কিন্তু একই সময়ে, এর স্তরীয় কাঠামোর কারণে, এপিটিক্সিল ফিল্মটি অনেকগুলি ত্রুটিপূর্ণ পদক্ষেপ প্রবর্তন করে।
গাণিতিক দক্ষতা অর্জনের লক্ষ্যে, কম খরচে অর্জনের জন্য GaN substrate এর GaN জন্য আশা করা হয়, তবে দক্ষতার জন্য বৃহত্তর এলাকা, একক বাতি উচ্চ ক্ষমতা অর্জনের পাশাপাশি প্রযুক্তির সরলীকরণ এবং গন সাবট্রা মাধ্যমে ফল উন্নত একবার অর্ধপরিবাহী আলো একটি বাস্তবতা হয়ে ওঠে, এডিসন ভাস্বর উদ্ভাবিত হিসাবে তার তাত্পর্য যতটা। একবার এক স্তরবিন্যাস এবং অন্যান্য কী প্রযুক্তির এলাকায় একটি সাফল্য অর্জন করার জন্য, তার শিল্পায়ন প্রক্রিয়া দ্রুত উন্নয়ন করা হবে।
হট পণ্য: IP65 পাতলা LED রাস্তার আলো , LED ডমিং রৈখিক আলো , 60cm রৈখিক ল্যাম্প , IP65 ত্রি-প্রমাণ আলো
